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產(chǎn)品中心

  • BX-Y1246B600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
    BX-Y1246B600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

    產(chǎn)品型號

    BX-Y1246B

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1602

    產(chǎn)品描述

    600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1246C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
    BX-Y1246C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

    產(chǎn)品型號

    BX-Y1246C

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1271

    產(chǎn)品描述

    800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1246D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
    BX-Y1246D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

    產(chǎn)品型號

    BX-Y1246D

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1338

    產(chǎn)品描述

    1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1246E1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
    BX-Y1246E1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

    產(chǎn)品型號

    BX-Y1246E

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1134

    產(chǎn)品描述

    1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1246F1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
    BX-Y1246F1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

    產(chǎn)品型號

    BX-Y1246F

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1312

    產(chǎn)品描述

    1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
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